RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
40
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
32
Velocità di lettura, GB/s
11.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
1897
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link