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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

总分
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

总分
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 40
    左右 -25% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 11.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.4 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    11.3 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1654 left arrow 1897

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
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Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
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内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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