RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
94
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
46
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3038
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link