RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
94
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
37
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2847
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5403-043.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link