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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Motivi da considerare
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
94
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.4
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
66
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
1604
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
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