RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
94
Intorno -262% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
26
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3857
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link