RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
94
Intorno -248% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
27
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2432
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link