RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
94
Intorno -327% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
22
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3122
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link