RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
94
Intorno -292% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
24
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2508
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link