RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
79
94
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
79
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
1651
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link