RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
70
94
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
70
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
1934
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link