RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
94
Intorno -147% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
38
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2283
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link