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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
94
Intorno -248% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
27
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2140
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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