RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
94
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
36
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2489
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link