RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Confronto
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
96
Intorno 72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
4.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
96
Velocità di lettura, GB/s
13.4
6.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
4.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2181
992
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link