RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
52
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
36
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3169
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link