RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
52
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
48
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3061
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link