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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
52
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
31
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3261
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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