RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
52
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
24
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3045
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Jinyu 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link