RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
30
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3773
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link