RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
15
52
Intorno -247% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
23
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
21.0
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
15
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
23.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
21.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
4039
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link