RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
52
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
36
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
1778
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Segnala un bug
×
Bug description
Source link