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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
52
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
25
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2892
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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