RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
52
Intorno -126% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
23
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2591
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link