RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
52
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
39
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2359
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link