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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
66
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
35
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2237
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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