Confronto tra le RAM Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

35 45

Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.1 7.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 12800

Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1939 1998

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns