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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
45
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
1998
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