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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
66
Intorno -128% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
29
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3409
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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