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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
66
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
24
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2445
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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