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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
66
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
24
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3482
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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