RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
75
Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
75
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
1735
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link