RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
66
Intorno -144% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
27
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3827
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link