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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
66
Intorno -120% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
30
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3164
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
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