RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3164
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link