RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
46
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.9
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
45
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
6.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1499
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Mushkin 991586 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link