RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.9
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
45
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
6.9
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1499
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link