RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.9
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
45
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
6.9
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1499
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link