RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.9
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
45
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
6.9
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1499
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link