RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3033
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link