RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
66
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.4
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
56
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
7.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
4.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
1598
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link