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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
66
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.5
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
24
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
1983
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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