RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
46
Intorno -77% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
26
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3938
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link