RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3938
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link