RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,285.0
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
68
Intorno -127% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
30
Velocità di lettura, GB/s
4,165.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,285.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
784
3026
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link