RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,285.0
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
68
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
30
读取速度,GB/s
4,165.3
16.0
写入速度,GB/s
2,285.0
10.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
3026
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link