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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
43
读取速度,GB/s
14.3
15.5
写入速度,GB/s
9.1
11.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
2864
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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