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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
68
Intorno -106% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,285.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
33
Velocità di lettura, GB/s
4,165.3
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,285.0
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
784
2200
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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