RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
42
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
20
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3230
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link