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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

总分
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

总分
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB 需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 42
    左右 -110% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.9 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.0 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 18.9
  • 写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2326 left arrow 3230

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较

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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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