RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
46
Intorno -24% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
37
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3170
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link