RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3744
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Segnala un bug
×
Bug description
Source link